01:16(мск)
Главная → Спр. инфо. → Диоды → более 10 А → до 100 В → 100BGQ030J
100BGQ030J
Основные параметры
| Тип | VR, (V) | VRWM, (V) | VF, (V) | IF(AV), (A) | IFSM, (A) | IR, (mA) | dv/dt, (V/μs) | CJ, (pF) | L, (nH) | TJ, (°C) | I2t, (A2s) |
| ДиодШоттки | 30 | 30 | 0.55/0.48 | 100 | 850 | 0.6/800 | 10000 | 3800 | 3.5 | -55 ... 150 |
|
VR - максимальное постоянное обратное напряжение. VRWM - максимальное импульсное обратное напряжение. VF - прямое падение напряжения на диоде при значении прямого тока IF(AV). IF(AV) - cредний прямой ток. IFSM - не повторяющийся пиковый ударный прямой ток, при длине импульса t=10ms (синус). IR - ток утечки (обратный ток при напряжении VR). dv/dt - скорость изменения напряжения. CJ - емкость перехода. L - индуктивность диода. TJ - диапазон рабочих температур. I2t - защитный показатель, при длине импульса t=10ms (синус). Примечание: параметры указаны при температуре 25°C (через "/" указываются два значения – при температуре 25°C и при максимальной температуре). |
Корпус PowIRtabTM "J" - версия |
Datasheet 100BGQ030J (pdf→rar архив)(103 Kb) |
войдите под своим именем или зарегистрируйтесь